Diese Prüfung bescheibt ein Verfahren, das die Wirkung erhöhter Temperatur auf alle elektronischen Halbleiterbauelemente während der Lagerung ohne elektrische Beanspruchung ermittelt. Typischerweise wird dieses Verfahren genutzt, um die Auswirkungen von Zeit und Temperatur auf thermisch aktivierte Ausfallmethoden bis zum Ausfall von elektronischen Halbleiterbauelementen zu bestimmen.
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